NTT物性基礎研、大和大学との共同研究成果"Improving crystal quality of Er-doped Gd₂O₃ grown on a Si(111) substrate by inserting a bifunctional GdO_x layer"が、 CrystEngComm誌に掲載されました。本論文では、Si(111)基板上のEr添加Gd₂O₃の結晶性と光学特性を改善する新しい成長技術の開発に成功したことを報告しており、 オンチップ光量子メモリへの応用などSi量子フォトニクスの発展に大きく貢献するものです。 論文はこちら。