NTT物性基礎研、広島大学、関西学院大学との共同研究成果"Improving optoelectronic properties of InP/InAs nanowire p-i-n devices with telecom-band electroluminescence"が、 Optics Continuum誌に掲載されました。本論文では通信波長で発光するInP/InAsナノワイヤ発光ダイオードの光-電子特性の向上を実現しており、光集積回路における半導体微小光源の実現に大きく貢献するものです。 論文はこちら。