M. Ishikawa, M. Tsukahara, M. Yamada Y. Saito, and K. Hamaya : "Large local magnetoresistance at room temperature in Si<100> devices", Intermag2018, Singapore, Apr. 22-27 (2018)
M. Ishikawa, M. Tsukahara, M. Yamada, Y. Fujita, and K. Hamaya : "Temperature Dependence of Nonlocal Spin Transport in Si<100> Lateral Spin-Valve Devices", SSDM2018, Tokyo, Japan, Sep. 10-13 (2018)
M. Ishikawa, T. Oka, Y. Fujita, H. Sugiyama Y. Saito, and K. Hamaya : "Spin Relaxation Mechanism in Heavily Doped n-type Silicon" Spintech IX, Fukuoka, Japan, Jun. 4-8 (2017)
H. Sugiyama, H. Yoda, K. Koi, S. Oikawa, B. Altansargai, T. Inokuchi, S. Shirotori, M. Shimizu, Y. Kato, Y. Ohsawa, M. Ishikawa, A. Tiwari, N. Shimomura, Y. Saito, A. Kurobe : "High-speed voltage-control spintronics memory focused on reduction in write current", Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), 2017 17th, Aachen, Germany, Aug. 30-Sep. 1 (2017)
H. Yoda, H. Sugiyama, T. Inokuchi, Y. Kato, Y. Ohsawa, K. Abe, N. Shimomura, Y. Saito, S. Shirotori, K. Koui, B. Altansargai, S. Oikawa, M. Shimizu, M. Ishikawa, K. Ikegami, Y. Kamiguchi, S. Fujita, A. Kurobe : "High-Speed Voltage-Control Spintronics Memory (High-Speed VoCSM) ", 2017 IEEE International Memory Workshop (IMW), Monterey, CA, USA, May 14-17 (2017)
H. Yoda, N. Shimomura, Y. Ohsawa, S. Shirotori, Y. Kato, T. Inokuchi, Y. Kamiguchi, B. Altansargai, Y. Saito, K. Koi, H. Sugiyama, S. Oikawa, M. Shimizu, M. Ishikawa, K. Ikegami, A. Kurobe : Voltage-control spintronics memory (VoCSM) having potentials of ultra-low energy-consumption and high-density , 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA , Dec. 3-7 (2016)
M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Inokuchi, K. Hamaya, N. Tezuka, and Y. Saito : “Influence of Si surface on spin accumulation and transport signals in CoFe/MgO/n+-Si junctions”, SSDM2015, Sapporo, Japan, Sep. 27-30 (2015)
T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, and Y. Saito : “Dependence of spin-dependent transport signals on measurement frequency in CoFe/MgO/ n+-Si junctions”, Intermag2015, Beijing, China, May 11-15 (2015)
M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Inokuchi, T. Tanamoto, K. Hamaya, N. Tezuka, and Y. Saito : “Influence of interface roughness in CoFe/MgO/n+-Si junctions on spin accumulation and spin transport signals”, MMM2014, Honolulu, USA, Nov. 3-7 (2014)
Y. Saito, M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Inokuchi, K. Hamaya, and N. Tezuka : “Correlation between amplitude of spin accumulation signals investigated by Hanle effect measurement and effective junction barrier height in CoFe/MgO/n+-Si junctions”, 59th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference, Honolulu, Hawaii, USA, Nov. 3-7 (2014)
M. Ishikawa, T. Inokuchi, H. Sugiyama, K. Hamaya, N. Tezuka, and Y. Saito : “Correlation between the intensities of differential conductance curves and the spin accumulation signals in Si for CoFe/MgO/SOI devices”, SSDM2013, Fukuoka, Japan, Sep. 24-27 (2013)
M. Ishikawa, T. Inokuchi, H. Sugiyama, K. Hamaya, N. Tezuka, and Y. Saito : “Correlation between the intensities of differential conductance curves and the spin accumulation signals in Si for CoFe/MgO/SOI devices”, SSDM2013, Fukuoka, Japan, Sep. 24-27 (2013)
Y. Saito, T. Tanamoto, M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Inokuchi, K. Hamaya, and N. Tezuka : “Local magnetoresistance through Si and its bias voltage dependence in ferromagnet/MgO/SOI lateral spin valves”, 12th joint MMM-Intermag conference, Chicago, Illinois, USA, Jan. 14-18 (2013)
T. Inokuchi, M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Tanamoto, and Y. Saito : “Inelastic electron tunneling spectroscopy study of CoFe/MgO/n+-Si junctions”, 58th Annual Magnetism and Magnetic Materials (MMM) Conference, Denver, Colorado, USA, Nov. 4-8 (2013)
M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Inokuchi, T. Tanamoto, K. Hamaya, N. Tezuka, and Y. Saito : “Asymmetric bias voltage dependence in spin accumulation signals observed by the three-terminal Hanle measurements for CoFe/crystalline MgO/SOI devices”, SSDM2012, Kyoto, Japan, Sep. 25-27 (2012)
M. Ishikawa, H. Sugiyama, T. Inokuchi, K. Hamaya, and Y. Saito : “Effect of the interface resistance on spin accumulation signals detected by 3-terminal Hanle effect measurements in CoFe/MgO/SOI devices”, Intermag2012, Vancouver, Canada, May 7-11 (2012)
T. Inokuchi, T. Marukame, T. Tanamoto, H. Sugiyama, M. Ishikawa, and Y. Saito : “Reconfigurable Characteristics of Spintronics-based MOSFETs for Nonvolatile Integrated Circuits”, VLSI 2010, Honolulu, Hawaii, USA, Jun. 15-18 (2010)
- 国内発表 -
野木祐介，緑川大己，石川瑞恵 : 「SiスピンMOSFETの実現に向けたホイスラー合金の作製」 R6東北地区若手研究者研究発表会, 3月1日 (2024)
李奕禧，齋藤麗音，石川瑞恵 : 「スピン信号測定器の立上げ」 R6東北地区若手研究者研究発表会, 3月1日 (2024)
横瀬滉将，渡辺成美，石川瑞恵 : 「SiスピンMOSFETの実現に向けた高濃度p型Si層の作製」 R6東北地区若手研究者研究発表会, 3月1日 (2024)
生川光太朗，熊田結子，石川瑞恵 : 「SiスピンMOSFETの作製のためのマスク重ね合わせ条件出し」 R6東北地区若手研究者研究発表会, 3月1日 (2024)
石川瑞恵 : 「半導体スピン素子のための高濃度p型Si層の作製」第70回応用物理学会春季学術講演会, 3月16日 (2023)
佐藤陸斗, 佐藤諒, 石川瑞恵 : 「SiスピンMOSFETの性能評価を行うためのスピン信号測定器の立上げ」R5東北地区若手研究者研究発表会, 3月1日 (2023)
大金竜士, 齋藤郁斗, 田中竜樹, 石川瑞恵 : 「SiスピンMOSFETの製作におけるマスク重ね合わせ条件の検討」R5東北地区若手研究者研究発表会, 3月1日 (2023)
林龍哉, 半澤圭悟, 石川瑞恵 : 「SiスピンMOSFETの実現に向けた高規則度ホイスラー合金/CoFe強磁性体電極の作製」R5東北地区若手研究者研究発表会, 3月1日 (2023)
山岸大紀, 玉貫海渡, 石川瑞恵 : 「SiスピンMOSFETの実現に向けた高規則度ホイスラー合金の作製」R5東北地区若手研究者研究発表会, 3月1日 (2023)
石川瑞恵 : 「半導体スピン素子のための高濃度Si層の作製」第69回応用物理学会春季学術講演会, 3月25日 (2022)
石川瑞恵, 浜屋 宏平 : 「n+-Siスピン伝導チャネルにおけるスピン緩和について」第67回応用物理学会春季学術講演会, 3月14日 (2020)
石川瑞恵, 塚原 誠人, 藤田 裕一, 山田 晋也, 杉山 英行, 斉藤 好昭, 浜屋 宏平 : 「Si<100>スピン伝導素子のスピン信号強度増大」第78回応用物理学会秋季学術講演会, 9月7日 (2017)
清水真理子，與田博明，井口智明，大沢裕一，下村尚治，白鳥聡志，杉山英行，加藤侑志，上口裕三，ブランダライアルタンサルガイ，鴻井克彦，及川壮一，石川瑞恵，テイワリアジヤイ，池上一隆，斉藤好昭，黒部篤 : 「電圧制御型スピントロニクスメモリ(VoCSM)」 第64回応用物理学会春季学術講演会, 3月15日 (2017)
石川瑞恵, テリワリアジェイ，杉山英行, 井口智明, 浜屋宏平, 手束展規，斉藤好昭 : 「Co2FeSi/MgO/n+-SOIデバイスの室温スピン信号(Room-temperature spin accumulation and transport signals in Co2FeSi/MgO/n+-SOI devices)」 第40回日本磁気学会学術講演会, 9月6日 (2016)
石川瑞恵, 杉山英行, 井口智明, 浜屋宏平, 手束展規，斉藤好昭 : 「CoFe/MgO/n+-SOIを用いたスピン信号のSi基板表面処理効果」 第63回応用物理学会学術講演会, 3月19日 (2016)
岡孝保，石川瑞恵，藤田裕一, 山田晋也，金島岳，斉藤好昭，浜屋宏平 : 「Si系横型素子における室温スピン信号の増大」 第63回応用物理学会学術講演会, 3月21日 (2016)
斉藤好昭，石川瑞恵, テリワリアジェイ，杉山英行, 井口智明 : 「Spin injection, transport and detection technology in ferromagnet/MgO/Si devices」 第40回日本磁気学会学術講演会, 9月7日 (2016)
井口智明, 石川瑞恵, 杉山英行，斉藤好昭 : 「非弾性散乱トンネルスペクトロスコピーを用いたn-Si/MgO/CoFe接合中のスピン依存伝導機構の解析」 第39回 日本磁気学会学術講演会, 9月11日 (2015)
石川瑞恵, 杉山英行, 井口智明, 棚本哲史，浜屋宏平, 手束展規，斉藤好昭 : 「L21-Co2FeSi/MgO/n+-SOIを用いたスピン蓄積信号のバイアス電圧依存性」 第61回応用物理学会学術講演会, 3月19日 (2014)
石川瑞恵, 杉山英行, 井口智明, 棚本哲史，浜屋宏平, 手束展規，斉藤好昭 : 「3端子Hanle信号のバイアス依存性」 第60回応用物理学会春季学術講演会, 3月28日 (2013)
杉山英行，石川瑞恵，井口智明，棚本哲史，斉藤好昭，手束展規 : 「高配向MgOトンネル障壁を介したSiへのスピン注入と検出」 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 9月20日 (2013)
石川瑞恵, 杉山英行, 井口智明, 浜屋宏平, 斉藤好昭 : 「CoFe/MgO/n+-SOI接合におけるスピン蓄積信号の界面抵抗依存性」 第73回応用物理学会学術講演会, 9月13日 (2012)
井口智明，石川瑞恵，杉山英行，斉藤好昭，手束展規 : 「スピンMOSFETを用いたスピンFPGAのベンチマーク」 第59回応用物理学関係連合講演会, 3月17日 (2012)
棚本哲史，杉山英行，井口智明，丸亀孝生，石川瑞恵，池上一隆，斉藤好昭 : 「スピンMOSFETを用いたスピンFPGAのベンチマーク」 第58回応用物理学関係連合講演会, 3月25日 (2011)
丸亀孝生，石川瑞恵，井口智明，杉山英行，斉藤好昭 : 「スピン注入書込み型スピンMOSFETの総合基本動作の実証」 第57回応用物理学関係連合講演会, 3月17日 (2010)
石川瑞恵，丸亀孝生，井口智明，杉山英行，斉藤好昭 : 「多結晶Co2Fe(Al,Si)を用いた強磁性トンネル接合の評価」 第57回応用物理学関係連合講演会, 3月19日 (2010)
杉山英行，井口智明，丸亀孝生，棚本哲史，石川瑞恵，斉藤好昭 : 「不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用」 第71回応用物理学会学術講演会, 9月16日 (2010)
井口智明, 丸亀孝生，石川瑞恵, 杉山英行，斉藤好昭 : 「CoFeB/MgO電極からGaAsチャネルへのスピン偏極電子の注入および検出」 第56回応用物理学関係連合講演会, 4月1日 (2009)
丸亀孝生，杉山英行，井口智明，石川瑞恵，斉藤好昭 : 「CoFeB/トンネル障壁を用いた半導体Siへのスピン注入構造の電気特性評価」 第56回応用物理学関係連合講演会, 4月1日 (2009)
石川瑞恵，丸亀孝生，井口智明，杉山英行，斉藤好昭 : 「半導体基板上でのホイスラー合金Co2Fe(Al0.5,Si0.5)を用いた磁気抵抗効果素子の作製」 第56回応用物理学関係連合講演会, 4月1日 (2009)
丸亀孝生，石川瑞恵，井口智明，杉山英行，斉藤好昭 : 「ホイスラー合金/MgOトンネル障壁を用いたSiスピン注入電極の製作と評価」 第70回応用物理学会学術講演会, 9月10日 (2009)
斉藤好昭, 杉山英行, 井口智明, 石川瑞恵, 丸亀孝生 : 「スピンMOSFETのシステムLSIへの応用とその課題」 第69回応用物理学会学術講演会, 9月3日 (2008)
杉山英行, 丸亀孝生, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭 : 「スピンMOSFET用強磁性体/トンネルバリア/Si接合の界面抵抗」 第69回応用物理学会学術講演会, 9月5日 (2008)
石川瑞恵, 井口智明, 杉山英行, 斉藤好昭 : 「ホイスラー合金Co2Fe(Al0.5Si0.5)を用いた磁気抵抗効果素子のバッファー層効果」 第55回応用物理学関係連合講演会, 3月29日 (2008)
杉山英行, 石川瑞恵, 井口智明, 斉藤好昭 : 「スピンMOSFETを用いたルックアップテーブル回路」 第55回応用物理学関係連合講演会, 3月28日 (2008)