■ 平成26年度　研究生紹介


　　　　 　　　　 　　　　 　　　　 　　　　
研究者 研究テーマ
佐藤　大高
(M2) 		Ｓｉ(100)‐(2×1)表面における初期酸化過程のＳＴＭ観察
高橋　尚樹
(M2) 		Ｓｉ(100)表面の極薄酸化膜成長と酸化膜電荷の発生
水町　賢土
(研究生) 		ＡＥＳによるＳｉ表面の金クラスターの電子状態の分析
黒沼　隆弥

関山　涼太 　　　　

田中　勇人

スパッタ法により形成したＳｉ薄膜の表面光電圧特性
宮崎　拓也

永井　康弘

Ｓｉ(100)‐(2×1)表面における初期酸化過程のＳＴＭ観察
水沼　義也

渡邉　佳裕

貫通電極構造を有する太陽電池セルの作製
齋藤　大輝

橋本　洋平 　　　　

渡邉　宣之

Ｓｉ(100)表面の極薄酸化膜成長と酸化膜電荷の発生
及川　晨 ＡＥＳによるＳｉ表面の金クラスターの電子状態の分析