平成23年度 研究生紹介


                   
研究者 研究テーマ
真田 悠司
(M2)
交流表面光電圧法による金属汚染n及びp型Siにおける熱酸化膜電荷の研究
板野 純希
(M1)
ω−SPV法によるキャリアライフタイムの評価
萩原 寛幸
(M1)
交流表面光電圧法による金属汚染n及びp型Siにおける熱酸化膜電荷の研究
加藤 悟
(研究生)
交流表面光電圧法による金属汚染n及びp型Siにおける熱酸化膜電荷の研究
安藤 諭

城所 悠     

柳沼 健太

Fe汚染したSi表面における酸化膜成長とFeの挙動に関する研究
鈴木 大基

高橋 翔太     

中尾 圭吾

Cr汚染したシリコン表面における酸化膜成長とCrの挙動に関する研究
葛生 一馬

羽石 悠

ω−SPV法によるキャリアライフタイムの評価
石塚 稜

油座 大夢

ω−SPV法によるキャリアライフタイムの評価



岩本 拓也

中村 優理     

若松 修平

ゾル-ゲル法を用いたZrO2薄膜の作製と評価
徳武 央也

交流表面光電圧法による多結晶Si薄膜の結晶性評価に関する研究
高根 遼太

平島 章寛

走査型トンネル顕微鏡によるSi表面の初期酸化過程
の研究
安藤 順平

石塚 朋也     

遠藤 卓

微細加工プロセスの構築
磯田 悠太

吉原 潤

渡邉 信嘉

陽極化成Nb2O5の電気的特性に関する研究