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平成21年度 研究生紹介
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| 研究者 | 研究テーマ | ||
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長瀬 慎太郎 (M2) | 金属不純物のシリコン熱酸化成長に及ぼす影響と金属原子の挙動 | |
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牟田 壮志郎 (M2) | 金属不純物のシリコン熱酸化成長に及ぼす影響と金属原子の挙動 | |
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大槻 智大 (M2) | 交流表面光電圧法による酸化膜電荷及びショットキー障壁に関する研究 | |
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生田目 大輔 (M2) | 高分子導電膜/Ta2O5/Ta構造における電気的特性の温度依存性関する研究 | |
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天野 洋 (M2) | Au/Nb2O5/Nb構造におけるの電気的特性と温度依存性に関する研究 | |
 
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小松 晃
齋藤 大輔 千葉 佑介 辻 新 |
Fe汚染したSi表面における酸化膜成長とFeの挙動に関する研究 |
 
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遠藤 俊
竹内 幸彦 渡邉 亮 |
P及びSb汚染したSi表面における酸化膜成長とP及びSbの挙動に関する研究 |
 
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高萩 昌浩
佐川 翔平 澤井 和己 |
Cr汚染したSi表面における酸化膜成長とCrの挙動に関する研究 |
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末永 勝也
芳賀 雅文 吉田 大士 |
高分子薄膜を電極としたコンデンサ構造の電気的特性評価に関する研究 |
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吉成 祐麿
佐々木 祐樹 |
交流表面光電圧法による多結晶Si薄膜の結晶性評価に関する研究 |
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田島 大樹
立谷 真 |
陽極化成Ta2O5薄膜の電気的特性の解析に関する研究 |
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竹端 聡介
田子 秀一 |
陽極化成Nb2O5の電気的特性の解析に関する研究 |
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霜山 翔吾
鈴木 啓嗣 |
走査型トンネル顕微鏡によるSi表面の初期酸化過程の研究 |
 
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小山 翔太
近藤 郁朗 山本 泰孝 中村 優理 |
ゾル-ゲル法を用いた高誘電率金属酸化物薄膜の作製と評価に関する研究 |
 
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中島 侑馬
大貫 達哉 西山 修平 |
ω−ACSPV装置の作製と半導体中の少数キャリア寿命の評価 |
| 大学院生 |
| 大学生 |
