平成20年度
| 研究者 | 研究テーマ | ||
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嶋田 定剛 (M2) | 金属不純物のシリコン熱酸化成長に及ぼす影響と金属原子の挙動 | |
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根本 大樹 (M2) | ゾル-ゲル法による高誘電率HfO2及びZrO2膜の作製および評価 | |
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渡邉 清人 (M2) | 走査型トンネル顕微鏡によるSi(100)-c(4x4)表面の初期酸化の研究 | |
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長瀬 慎太郎 (M1) | 金属不純物のシリコン熱酸化成長に及ぼす影響と金属原子の挙動 | |
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牟田 壮志郎 (M1) | 金属不純物のシリコン熱酸化成長に及ぼす影響と金属原子の挙動 | |
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大槻 智大 (M1) | 交流表面光電圧法による酸化膜電荷及びショットキー障壁に関する研究 | |
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生田目 大輔 (M1) | 高分子導電膜/Ta2O5/Ta構造における電気的特性の温度依存性関する研究 | |
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天野 洋 (M1) | 陽極化成Nb2O5膜の電気的特性に関する研究 | |
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猪狩 貴暁
渡部 翔 |
交流表面光電圧法によるCr汚染p型Siにおける酸化膜電荷及びショットキー障壁に関する研究 |
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林 遼児
山田 拓也 |
交流表面光電圧法によるP汚染p型Siにおける酸化膜電荷及びショットキー障壁に関する研究 |
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足助 有軌
飯村 勉 |
Au汚染したSi(001)表面における極薄酸化膜の成長機構に及ぼす金属不純物の影響の研究 |
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児玉 雄治
斎藤 悠介 |
Cr汚染したSi(001)表面における極薄酸化膜の成長機構に及ぼす金属不純物の影響の研究 |
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瀧田 圭太
樋口 広宣 |
P汚染したSi(001)表面における極薄酸化膜の成長機構に及ぼす金属不純物の影響の研究 |
 
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斎藤 尚
提坂 一輝 塙 裕介 |
交流表面光電圧法による半導体薄膜の結晶性評価に関する研究 |
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鈴木 将司
柳橋 和也 |
PEDT/Ta2O5/Ta構造の電気的特性に関する研究 |
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三橋 英志
山口 恭平 |
陽極化成Nb2O5の電気的特性に関する研究 |
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阿部 俊弘
押野 祐企 |
走査型トンネル顕微鏡によるSi(100)-(2x1)及びc(4x4)表面の初期酸化の研究 |
 
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岡村 浩志
熊倉 亮 島村 康充 |
ゾル-ゲル法による高誘電率HfO2及びZrO2膜の高品質化に関する研究 |
 
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新井 洋平
黒田 智史 高嶋 渉 |
超高真空中における洗浄Si表面上へのHf及びZr極薄膜の形成と酸化に関する研究 |
| 大学院生 |
| 大学生 |
