平成17年度




研究者 研究テーマ
大森 絵理  (M2)
交流表面光電圧法による金属不純物を析出させた
Si表面のポテンシャルに関する研究
佐藤 裕史  (M2) 陽極化成したNb2O5薄膜と Ta2O5薄膜 の電気的特性に関する研究
若島 裕也  (M1)   Si(001)表面における極薄酸化膜の成長機構に及ぼす  
金属不純物の影響
小長井 聡  (M1)   ゾル-ゲル法による
ZrO2膜の焼成温度に依存した膜構造の変化と電気的特性の評価
田中 健一郎
鈴木 嘉教
  Si(001)を用いた高集積化デバイス対応の極薄酸化膜 の  
成長機構に及ぼす'Hf 'の影響
高萩 康志
山本 和也
  Si(001)を用いた高集積化デバイス対応の極薄酸化膜 の  
成長機構に及ぼす'Au 'の影響
石川 卓磨
橋本 一哉
  交流表面光電圧法によるSiウェーハ表面における  
表面ポテンシャルに関する研究
小泉 勲
吉田 敏之
  マイクロ波PCD法を用いたライフタイムの測定による  
Siウェーハの評価
春日 隆伸
林 怜
  次世代LSI対応のためのゾル - ゲル法による  
ゲートZrO2膜の作成及び評価
鈴木 雅大
山下 明弘
  高分子導電膜を電極としたタンタル電解コンデンサの  
電気的特性に関する研究
柚木 俊
横山 雄一
  Si表面上への超高真空中におけるHf及びZr極薄膜の  
形成と酸化に関する研究
手塚 聡
柳沼 寛寿
陽極化成Nb2O5膜の電気的特性の温度依存性に関する研究

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