研究生紹介

研究者	研究テーマ
大森　絵理 (M2)	交流表面光電圧法による金属不純物を析出させた Si表面のポテンシャルに関する研究
佐藤　裕史 (M2)	陽極化成したNb₂O₅薄膜と Ta₂O₅薄膜の電気的特性に関する研究
若島　裕也 (M1)	Si(001)表面における極薄酸化膜の成長機構に及ぼす金属不純物の影響
小長井　聡 (M1)	ゾル-ゲル法による ZrO₂膜の焼成温度に依存した膜構造の変化と電気的特性の評価
田中　健一郎鈴木　嘉教	Si(001)を用いた高集積化デバイス対応の極薄酸化膜の成長機構に及ぼす'Hf 'の影響
高萩　康志山本　和也	Si(001)を用いた高集積化デバイス対応の極薄酸化膜の成長機構に及ぼす'Au 'の影響
石川　卓磨橋本　一哉	交流表面光電圧法によるSiウェーハ表面における表面ポテンシャルに関する研究
小泉　勲吉田　敏之	マイクロ波PCD法を用いたライフタイムの測定による Siウェーハの評価
春日　隆伸林　怜	次世代LSI対応のためのゾル - ゲル法によるゲートZrO₂膜の作成及び評価
鈴木　雅大山下　明弘	高分子導電膜を電極としたタンタル電解コンデンサの電気的特性に関する研究
柚木　俊横山　雄一	Si表面上への超高真空中におけるHf及びZr極薄膜の形成と酸化に関する研究
手塚　聡柳沼　寛寿	陽極化成Nb₂O₅膜の電気的特性の温度依存性に関する研究

研究者	研究テーマ
大森　絵理 (M2)	交流表面光電圧法による金属不純物を析出させた Si表面のポテンシャルに関する研究
佐藤　裕史 (M2)	陽極化成したNb₂O₅薄膜と Ta₂O₅薄膜の電気的特性に関する研究
若島　裕也 (M1)	Si(001)表面における極薄酸化膜の成長機構に及ぼす金属不純物の影響
小長井　聡 (M1)	ゾル-ゲル法による ZrO₂膜の焼成温度に依存した膜構造の変化と電気的特性の評価
田中　健一郎鈴木　嘉教	Si(001)を用いた高集積化デバイス対応の極薄酸化膜の成長機構に及ぼす'Hf 'の影響
高萩　康志山本　和也	Si(001)を用いた高集積化デバイス対応の極薄酸化膜の成長機構に及ぼす'Au 'の影響
石川　卓磨橋本　一哉	交流表面光電圧法によるSiウェーハ表面における表面ポテンシャルに関する研究
小泉　勲吉田　敏之	マイクロ波PCD法を用いたライフタイムの測定による Siウェーハの評価
春日　隆伸林　怜	次世代LSI対応のためのゾル - ゲル法によるゲートZrO₂膜の作成及び評価
鈴木　雅大山下　明弘	高分子導電膜を電極としたタンタル電解コンデンサの電気的特性に関する研究
柚木　俊横山　雄一	Si表面上への超高真空中におけるHf及びZr極薄膜の形成と酸化に関する研究
手塚　聡柳沼　寛寿	陽極化成Nb₂O₅膜の電気的特性の温度依存性に関する研究