『浮遊モード』
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研究者 | 研究テーマ |
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大森 絵理 (M2) |
交流表面光電圧法による金属不純物を析出させた Si表面のポテンシャルに関する研究 |
佐藤 裕史 (M2) | 陽極化成したNb2O5薄膜と Ta2O5薄膜 の電気的特性に関する研究 |
若島 裕也 (M1) |
Si(001)表面における極薄酸化膜の成長機構に及ぼす 金属不純物の影響 |
小長井 聡 (M1) |
ゾル-ゲル法による ZrO2膜の焼成温度に依存した膜構造の変化と電気的特性の評価 |
田中 健一郎 鈴木 嘉教 |
Si(001)を用いた高集積化デバイス対応の極薄酸化膜
の 成長機構に及ぼす'Hf 'の影響 |
高萩 康志 山本 和也 |
Si(001)を用いた高集積化デバイス対応の極薄酸化膜
の 成長機構に及ぼす'Au 'の影響 |
石川 卓磨 橋本 一哉 |
交流表面光電圧法によるSiウェーハ表面における 表面ポテンシャルに関する研究 |
小泉 勲 吉田 敏之 |
マイクロ波PCD法を用いたライフタイムの測定による
Siウェーハの評価 |
春日 隆伸 林 怜 |
次世代LSI対応のためのゾル - ゲル法による
ゲートZrO2膜の作成及び評価 |
鈴木 雅大 山下 明弘 |
高分子導電膜を電極としたタンタル電解コンデンサの
電気的特性に関する研究 |
柚木 俊 横山 雄一 |
Si表面上への超高真空中におけるHf及びZr極薄膜の
形成と酸化に関する研究 |
手塚 聡 柳沼 寛寿 | 陽極化成Nb2O5膜の電気的特性の温度依存性に関する研究 |
大学院生 |
大学生 |