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平成14年度 研究生紹介
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この研究生紹介は、2009年12月19日に追加されたものです。 研究者名や研究テーマは、研究室保管の要旨集及び卒業論文を基に作成しています。 掲載内容に誤りや不足等ございましたら、研究室までご連絡ください |
| 研究者 | 研究テーマ |
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| 佐藤 黄菜 (M2) | 走査型トンネル顕微鏡によるC2H4及びCu吸着したSi単結晶表面の研究 |
| 進 竜平 (M2) | 交流表面光電圧法によるSiウェーハ表面における酸化膜電荷に関する研究 |
| 菅野 不二男 (M1) | 陽極化成Nb2O5薄膜の電気的特性に関する研究 |
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佐久間 尚彦 (研究生) |
オージェ電子分光法による陽極化成Nb2O5薄膜の深さ方向組成分析 |
| 佐藤 拓(研究生) | Si極薄酸化膜の成長機構に関する基礎的研究 |
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足立 学
古俣 成隆 |
Cu蒸着したSi(111)-(7×7)表面の走査型トンネル顕微鏡観察 |
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生田 貴保
伊藤 圭一郎 |
陽極化成Nb2O5薄膜の電気的特性に関する研究 |
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上野 かおり
戸田 健一 |
陽極化成法により形成したTa2O5薄膜の電気的特性に関する研究 |
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内山 裕美子
今野 智司 |
交流表面光電圧法によるAl及びFeを故意汚染したSi単結晶の酸化膜電荷の解析 |
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神山 和哉
小西 伸宏 |
オージェ電子分光法による陽極化成Ta2O5及びNb2O5薄膜の深さ方向組成分析 |
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北村 朋也
田中 直行 |
ゾル-ゲル法によるHfO2膜の作製とその基礎特性に関する研究 |
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下枝 一樹
福本 勝吾 |
Si極薄酸化膜の成長機構に関する基礎的研究 |
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立原 寛之
杉本 洋史 |
交流表面光電圧法による銅(Cu)及びクロム(Cr)汚染したSi表面の酸化膜電荷に関する研究 |
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宮本 圭一
弓場 義朗 |
コンピュータシミュレーションによるSi(001)2×1構造へのC2H4吸着の解析 |
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栗原 卓史
鈴木 靖博 |
分光エリプソメータによるSOIウェーハの解析 |
| 大学院生 |
| 大学生 |
